IRFH5110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN
部品番号
IRFH5110TRPBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
PQFN (5x6)
消費電力(最大)
3.6W (Ta), 114W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
11A (Ta), 63A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
12.4 mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 100µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
72nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3152pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 29946 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IRFH5110TRPBF
IRFH5110TRPBF 電子部品
IRFH5110TRPBF 売上
IRFH5110TRPBF サプライヤー
IRFH5110TRPBF ディストリビュータ
IRFH5110TRPBF データテーブル
IRFH5110TRPBFの写真
IRFH5110TRPBF 価格
IRFH5110TRPBF オファー
IRFH5110TRPBF 最安値
IRFH5110TRPBF 検索
IRFH5110TRPBF を購入中
IRFH5110TRPBF チップ