IRFH5210TRPBF
MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN
部品番号
IRFH5210TRPBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
PQFN (5x6)
消費電力(最大)
3.6W (Ta), 104W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
10A (Ta), 55A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
14.9 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 100µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
59nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2570pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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