IRFH5220TR2PBF
MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
部品番号
IRFH5220TR2PBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Digi-Reel®
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-VQFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ
PQFN (5x6)
消費電力(最大)
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
200V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.8A (Ta), 20A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
99.9 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 100µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
30nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1380pF @ 50V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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