IRFH7110TR2PBF
MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
部品番号
IRFH7110TR2PBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Digi-Reel®
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-TQFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ
8-PQFN (5x6)
消費電力(最大)
3.6W (Ta), 104W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
11A (Ta), 58A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
13.5 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 100µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
87nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3240pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 40714 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IRFH7110TR2PBF
IRFH7110TR2PBF 電子部品
IRFH7110TR2PBF 売上
IRFH7110TR2PBF サプライヤー
IRFH7110TR2PBF ディストリビュータ
IRFH7110TR2PBF データテーブル
IRFH7110TR2PBFの写真
IRFH7110TR2PBF 価格
IRFH7110TR2PBF オファー
IRFH7110TR2PBF 最安値
IRFH7110TR2PBF 検索
IRFH7110TR2PBF を購入中
IRFH7110TR2PBF チップ