IRFHM4226TRPBF
MOSFET N CH 25V 28A PQFN
部品番号
IRFHM4226TRPBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-TQFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ
-
消費電力(最大)
2.7W (Ta), 39W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
25V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
28A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
2.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.1V @ 50µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
32nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2000pF @ 13V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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