IRFHM830DTR2PBF
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
部品番号
IRFHM830DTR2PBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-VQFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ
PQFN (3x3)
消費電力(最大)
2.8W (Ta), 37W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
20A (Ta), 40A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
4.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.35V @ 50µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
27nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1797pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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