IRFR3412PBF
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
部品番号
IRFR3412PBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
D-Pak
消費電力(最大)
140W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
25 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
89nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3430pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 40568 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IRFR3412PBF
IRFR3412PBF 電子部品
IRFR3412PBF 売上
IRFR3412PBF サプライヤー
IRFR3412PBF ディストリビュータ
IRFR3412PBF データテーブル
IRFR3412PBFの写真
IRFR3412PBF 価格
IRFR3412PBF オファー
IRFR3412PBF 最安値
IRFR3412PBF 検索
IRFR3412PBF を購入中
IRFR3412PBF チップ