Infineon Technologies IRFSL23N20D102P MOSFET N-CH 200V 24A TO-262 を購入

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IRFSL23N20D102P

MOSFET N-CH 200V 24A TO-262

部品番号

IRFSL23N20D102P

メーカー/ブランド

Infineon Technologies

シリーズ

HEXFET®

部品のステータス

Obsolete

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-262

消費電力(最大)

3.8W (Ta), 170W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

200V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

24A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

100 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

5.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

86nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1960pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±30V

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