IRL100HS121
MOSFET N-CH 100V 6PQFN
部品番号
IRL100HS121
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
6-VDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ
6-PQFN (2x2)
消費電力(最大)
11.5W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
42 mOhm @ 6.7A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.3V @ 10µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
5.6nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
440pF @ 50V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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