IRLHM630TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
部品番号
IRLHM630TR2PBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-VQFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ
PQFN (3x3)
消費電力(最大)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
21A (Ta), 40A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
3.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.1V @ 50µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
62nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3170pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.5V, 10V
Vgs (最大)
±12V
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