IRLHS6342TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
部品番号
IRLHS6342TR2PBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Digi-Reel®
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
6-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
6-PQFN (2x2)
消費電力(最大)
2.1W (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
8.7A (Ta), 19A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.1V @ 10µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
11nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1019pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.5V, 4.5V
Vgs (最大)
±12V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 47986 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IRLHS6342TR2PBF
IRLHS6342TR2PBF 電子部品
IRLHS6342TR2PBF 売上
IRLHS6342TR2PBF サプライヤー
IRLHS6342TR2PBF ディストリビュータ
IRLHS6342TR2PBF データテーブル
IRLHS6342TR2PBFの写真
IRLHS6342TR2PBF 価格
IRLHS6342TR2PBF オファー
IRLHS6342TR2PBF 最安値
IRLHS6342TR2PBF 検索
IRLHS6342TR2PBF を購入中
IRLHS6342TR2PBF チップ