IRLML2060TRPBF
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
部品番号
IRLML2060TRPBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
Micro3™/SOT-23
消費電力(最大)
1.25W (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
480 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 25µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
0.67nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
64pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±16V
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