IRLML5103TR
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
部品番号
IRLML5103TR
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
Micro3™/SOT-23
消費電力(最大)
540mW (Ta)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
760mA (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
600 mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
5.1nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
75pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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