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IRLMS1902TR

IRLMS1902TR

MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
部品番号
IRLMS1902TR
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ
Micro6™(TSOP-6)
消費電力(最大)
1.7W (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
100 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
700mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
7nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
300pF @ 15V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.7V, 4.5V
Vgs (最大)
±12V
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