IRLR3636PBF
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
部品番号
IRLR3636PBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Not For New Designs
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
D-Pak
消費電力(最大)
143W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
6.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 100µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
49nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3779pF @ 50V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±16V
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