IRLU3636PBF
MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
部品番号
IRLU3636PBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
サプライヤーデバイスパッケージ
I-PAK
消費電力(最大)
143W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
6.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 100µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
49nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3779pF @ 50V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±16V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 51165 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IRLU3636PBF
IRLU3636PBF 電子部品
IRLU3636PBF 売上
IRLU3636PBF サプライヤー
IRLU3636PBF ディストリビュータ
IRLU3636PBF データテーブル
IRLU3636PBFの写真
IRLU3636PBF 価格
IRLU3636PBF オファー
IRLU3636PBF 最安値
IRLU3636PBF 検索
IRLU3636PBF を購入中
IRLU3636PBF チップ