Infineon Technologies SPB10N10L G MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263 を購入

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SPB10N10L G

MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263

部品番号

SPB10N10L G

メーカー/ブランド

Infineon Technologies

シリーズ

SIPMOS®

部品のステータス

Discontinued at Digi-Key

包装

Digi-Reel®

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

サプライヤーデバイスパッケージ

PG-TO263-3-2

消費電力(最大)

50W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

100V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

10.3A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

154 mOhm @ 8.1A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2V @ 21µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

22nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

444pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

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