Infineon Technologies SPB16N50C3ATMA1 MOSFET N-CH 560V 16A TO-263 を購入

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SPB16N50C3ATMA1

MOSFET N-CH 560V 16A TO-263

部品番号

SPB16N50C3ATMA1

メーカー/ブランド

Infineon Technologies

シリーズ

CoolMOS™

部品のステータス

Last Time Buy

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

サプライヤーデバイスパッケージ

PG-TO263-3-2

消費電力(最大)

160W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

560V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

16A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

280 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

3.9V @ 675µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

66nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1600pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

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