Infineon Technologies SPB18P06P MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK を購入

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SPB18P06P

MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK

部品番号

SPB18P06P

メーカー/ブランド

Infineon Technologies

シリーズ

SIPMOS®

部品のステータス

Obsolete

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

サプライヤーデバイスパッケージ

D²PAK (TO-263AB)

消費電力(最大)

81.1W (Ta)

FETタイプ

P-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

60V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

18.7A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

130 mOhm @ 13.2A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 1mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

28nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

860pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

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