SPD08P06PGBTMA1
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252
部品番号
SPD08P06PGBTMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
SIPMOS®
部品のステータス
Discontinued at Digi-Key
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO252-3
消費電力(最大)
42W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
8.83A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
300 mOhm @ 10A, 6.2V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
13nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
420pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
6.2V
Vgs (最大)
±20V
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