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IXDN602PI

IXDN602PI

MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-DI
部品番号
IXDN602PI
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
入力方式
Non-Inverting
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
8-DIP (0.300", 7.62mm)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-DIP
電圧 - 電源
4.5 V ~ 35 V
チャンネルタイプ
Independent
駆動型構成
Low-Side
ドライバーの数
2
ゲートタイプ
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
ロジック電圧 - VIL、VIH
0.8V, 3V
電流 - ピーク出力 (ソース、シンク)
2A, 2A
ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ)
-
立ち上がり/立ち下がり時間 (標準値)
7.5ns, 6.5ns
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