IXYS IXFN26N100P MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B を購入

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IXFN26N100P

MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

部品番号

IXFN26N100P

メーカー/ブランド

IXYS

シリーズ

Polar™

部品のステータス

Active

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Chassis Mount

パッケージ・ケース

SOT-227-4, miniBLOC

サプライヤーデバイスパッケージ

SOT-227B

消費電力(最大)

595W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

1000V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

23A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

390 mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

6.5V @ 1mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

197nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

11900pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±30V

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