IXYS IXFN360N10T MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B を購入

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IXFN360N10T

MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

部品番号

IXFN360N10T

メーカー/ブランド

IXYS

シリーズ

HiPerFET™

部品のステータス

Active

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Chassis Mount

パッケージ・ケース

SOT-227-4, miniBLOC

サプライヤーデバイスパッケージ

SOT-227B

消費電力(最大)

830W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

100V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

360A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

2.6 mOhm @ 180A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

505nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

36000pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

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