IXFP7N100P
MOSFET N-CH 1000V 7A TO-220
部品番号
IXFP7N100P
メーカー/ブランド
シリーズ
HiPerFET™, PolarP2™
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220AB
消費電力(最大)
300W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1000V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
6V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
47nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2590pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 32280 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IXFP7N100P
IXFP7N100P 電子部品
IXFP7N100P 売上
IXFP7N100P サプライヤー
IXFP7N100P ディストリビュータ
IXFP7N100P データテーブル
IXFP7N100Pの写真
IXFP7N100P 価格
IXFP7N100P オファー
IXFP7N100P 最安値
IXFP7N100P 検索
IXFP7N100P を購入中
IXFP7N100P チップ