IXYS IXFT58N20Q TRL MOSFET N-CH 200V 58A TO268 を購入

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IXFT58N20Q TRL

MOSFET N-CH 200V 58A TO268

部品番号

IXFT58N20Q TRL

メーカー/ブランド

IXYS

シリーズ

HiPerFET™

部品のステータス

Last Time Buy

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-268 (IXFT)

消費電力(最大)

300W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

200V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

58A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

40 mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 4mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

140nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

3600pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

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