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IXFX420N10T

IXFX420N10T

MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247
部品番号
IXFX420N10T
メーカー/ブランド
シリーズ
GigaMOS™ HiPerFET™
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ
PLUS247™-3
消費電力(最大)
1670W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
420A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
2.6 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 8mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
670nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
47000pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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