IXYS IXTA1R6N100D2HV MOSFET N-CH を購入

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IXTA1R6N100D2HV

MOSFET N-CH

部品番号

IXTA1R6N100D2HV

メーカー/ブランド

IXYS

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-263HV

消費電力(最大)

100W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

Depletion Mode

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

1000V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

1.6A (Tj)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

10 Ohm @ 800mA, 0V

Vgs(th) (最大) @ ID

4.5V @ 100µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

27nC @ 5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

645pF @ 10V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

Vgs (最大)

±20V

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