IXYS IXTN200N10T MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227 を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

もっと見る DataSheets

IXTN200N10T

MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227

部品番号

IXTN200N10T

メーカー/ブランド

IXYS

シリーズ

TrenchMV™

部品のステータス

Active

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Chassis Mount

パッケージ・ケース

SOT-227-4, miniBLOC

サプライヤーデバイスパッケージ

SOT-227B

消費電力(最大)

550W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

100V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

200A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

5.5 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

152nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

9400pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 53325 PCS

連絡先

関連製品

IXTN102N65X2

MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227