IXFN55N50F
MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
部品番号
IXFN55N50F
メーカー/ブランド
シリーズ
HiPerRF™
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ・ケース
SOT-227-4, miniBLOC
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-227B
消費電力(最大)
600W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
500V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
85 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5.5V @ 8mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
195nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
6700pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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