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DS1230AB-200IND

DS1230AB-200IND

IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP
部品番号
DS1230AB-200IND
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
テクノロジー
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
動作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
サプライヤーデバイスパッケージ
28-EDIP
電圧 - 電源
4.75 V ~ 5.25 V
メモリの種類
Non-Volatile
メモリー容量
256Kb (32K x 8)
アクセス時間
200ns
クロック周波数
-
メモリフォーマット
NVSRAM
書き込みサイクル タイム - ワード、ページ
200ns
メモリインターフェース
Parallel
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