APTC90DAM60CT1G
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
部品番号
APTC90DAM60CT1G
メーカー/ブランド
シリーズ
CoolMOS™
部品のステータス
Active
包装
Bulk
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ・ケース
SP1
サプライヤーデバイスパッケージ
SP1
消費電力(最大)
462W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
Super Junction
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
900V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
60 mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.5V @ 6mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
540nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
13600pF @ 100V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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