APTC90H12T2G
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2
部品番号
APTC90H12T2G
メーカー/ブランド
シリーズ
CoolMOS™
部品のステータス
Obsolete
包装
Tray
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ・ケース
SP2
パワー - 最大
250W
サプライヤーデバイスパッケージ
SP2
FETタイプ
4 N-Channel (H-Bridge)
FETの特徴
Super Junction
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
900V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
30A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
120 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.5V @ 3mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
270nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
6800pF @ 100V
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