BSH111BKR
MOSFET N-CH 55V SOT-23
部品番号
BSH111BKR
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-236AB (SOT23)
消費電力(最大)
302mW (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
55V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
210mA (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
4 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
0.5nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
30pF @ 30V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V
Vgs (最大)
±10V
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