Nexperia USA Inc. PMDXB600UNEZ MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN を購入

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DataSheets

PMDXB600UNEZ

MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN

部品番号

PMDXB600UNEZ

メーカー/ブランド

Nexperia USA Inc.

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

6-XFDFN Exposed Pad

パワー - 最大

265mW

サプライヤーデバイスパッケージ

6-DFN (1.1x1)

FETタイプ

2 N-Channel (Dual)

FETの特徴

Logic Level Gate

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

600mA

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

620 mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

950mV @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

21.3pF @ 10V

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