PMZB600UNELYL
MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B
部品番号
PMZB600UNELYL
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchMOS™
部品のステータス
Active
包装
Digi-Reel®
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
3-XFDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
3-DFN1006B (0.6x1)
消費電力(最大)
360mW (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
600mA (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
950mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
21.3pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.2V, 4.5V
Vgs (最大)
±8V
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