PSMN018-100ESFQ
MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK
部品番号
PSMN018-100ESFQ
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3, Short Tab
サプライヤーデバイスパッケージ
I2PAK
消費電力(最大)
111W (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
53A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
18 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
21.4nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1482pF @ 50V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
7V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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