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PSMN8R0-80YLX
MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
部品番号
PSMN8R0-80YLX
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchMOS™
部品のステータス
Active
包装
-
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SC-100, SOT-669
サプライヤーデバイスパッケージ
LFPAK56, Power-SO8
消費電力(最大)
238W (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
80V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.1V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
104nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
8167pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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