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PSMN8R9-100BSEJ
PSMN8R9-100BSE/SOT404/D2PAK
部品番号
PSMN8R9-100BSEJ
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
-
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
D2PAK
消費電力(最大)
296W
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
108A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
-
Vgs(th) (最大) @ ID
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
128nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
7.11nF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
-
Vgs (最大)
-
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