NXP USA Inc. IRFR220,118 MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK を購入

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IRFR220,118

MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK

部品番号

IRFR220,118

メーカー/ブランド

NXP USA Inc.

シリーズ

TrenchMOS™

部品のステータス

Obsolete

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

サプライヤーデバイスパッケージ

DPAK

消費電力(最大)

42W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

200V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

4.8A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

800 mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

14nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

280pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

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