FCP190N65F
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3
部品番号
FCP190N65F
メーカー/ブランド
シリーズ
FRFET®, SuperFET® II
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220-3
消費電力(最大)
208W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
650V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
20.6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 2mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
78nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3225pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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