ON Semiconductor FDB9503L-F085 PMOS D2PAK 40V 2.6 MOHM を購入

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FDB9503L-F085

PMOS D2PAK 40V 2.6 MOHM

部品番号

FDB9503L-F085

メーカー/ブランド

ON Semiconductor

シリーズ

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

部品のステータス

Active

包装

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

サプライヤーデバイスパッケージ

D²PAK (TO-263)

消費電力(最大)

333W (Tj)

FETタイプ

P-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

40V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

110A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

2.6 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

3V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

255nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

8320pF @ 20V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

Vgs (最大)

±16V

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