ON Semiconductor FDC655BN_NBNN007 MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6 を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

FDC655BN_NBNN007

MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6

部品番号

FDC655BN_NBNN007

メーカー/ブランド

ON Semiconductor

シリーズ

PowerTrench®

部品のステータス

Obsolete

包装

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

サプライヤーデバイスパッケージ

SuperSOT™-6

消費電力(最大)

800mW

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

6.3A

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

25 mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

3V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

13nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

620pF @ 15V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

Vgs (最大)

±20V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 45553 PCS

連絡先

関連製品

FDC6000NZ

MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6SSOT