FDC658AP
MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6
部品番号
FDC658AP
メーカー/ブランド
シリーズ
PowerTrench®
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ
SuperSOT™-6
消費電力(最大)
1.6W (Ta)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
50 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
8.1nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
470pF @ 15V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±25V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 38537 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード FDC658AP
FDC658AP 電子部品
FDC658AP 売上
FDC658AP サプライヤー
FDC658AP ディストリビュータ
FDC658AP データテーブル
FDC658APの写真
FDC658AP 価格
FDC658AP オファー
FDC658AP 最安値
FDC658AP 検索
FDC658AP を購入中
FDC658AP チップ