FDD4N60NZ
MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
部品番号
FDD4N60NZ
メーカー/ブランド
シリーズ
UniFET-II™
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
DPAK
消費電力(最大)
114W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
600V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.4A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
2.5 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
10.8nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
510pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±25V
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