ON Semiconductor FDFMA2P029Z-F106 -20V -3.1A 95 O PCH ER T を購入

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FDFMA2P029Z-F106

-20V -3.1A 95 O PCH ER T

部品番号

FDFMA2P029Z-F106

メーカー/ブランド

ON Semiconductor

シリーズ

PowerTrench®

部品のステータス

Active

包装

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

6-WDFN Exposed Pad

サプライヤーデバイスパッケージ

6-MicroFET (2x2)

消費電力(最大)

1.4W (Ta)

FETタイプ

P-Channel

FETの特徴

Schottky Diode (Isolated)

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

3.1A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

95 mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

10nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

720pF @ 10V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

2.5V, 4.5V

Vgs (最大)

±12V

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