ON Semiconductor
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FDFMA2P859T
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FDFMA2P859T

MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
部品番号
FDFMA2P859T
メーカー/ブランド
ON Semiconductor
シリーズ
PowerTrench®
部品のステータス
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
6-UDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ
MicroFET 2x2 Thin
消費電力(最大)
1.4W (Ta)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
Schottky Diode (Isolated)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
120 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
6nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
435pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.8V, 4.5V
Vgs (最大)
±8V
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