ON Semiconductor
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FDMD8900
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FDMD8900

MOSFET 2N-CH 30V POWER
部品番号
FDMD8900
メーカー/ブランド
ON Semiconductor
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Digi-Reel®
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
12-PowerWDFN
パワー - 最大
2.1W
サプライヤーデバイスパッケージ
12-Power3.3x5
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
19A, 17A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
4 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
35nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2605pF @ 15V
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