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FDV302P-NB8V001

FDV302P-NB8V001

MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
部品番号
FDV302P-NB8V001
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Discontinued at Digi-Key
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23
消費電力(最大)
350mW (Ta)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
25V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
120mA (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
10 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
0.31nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
11pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.7V, 4.5V
Vgs (最大)
-8V
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