ON Semiconductor FQB5N80TM MOSFET N-CH 800V 4.8A D2PAK を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

もっと見る DataSheets

FQB5N80TM

MOSFET N-CH 800V 4.8A D2PAK

部品番号

FQB5N80TM

メーカー/ブランド

ON Semiconductor

シリーズ

QFET®

部品のステータス

Obsolete

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

サプライヤーデバイスパッケージ

D²PAK (TO-263AB)

消費電力(最大)

3.13W (Ta), 140W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

800V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

4.8A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

2.6 Ohm @ 2.4A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

33nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1250pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±30V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 30302 PCS

連絡先

関連製品

FQB50N06LTM

MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK