NCP5181DR2G
IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC
部品番号
NCP5181DR2G
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
入力方式
Non-Inverting
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOIC
電圧 - 電源
10 V ~ 20 V
チャンネルタイプ
Independent
駆動型構成
Half-Bridge
ドライバーの数
2
ゲートタイプ
N-Channel MOSFET
ロジック電圧 - VIL、VIH
0.8V, 2.3V
電流 - ピーク出力 (ソース、シンク)
1.4A, 2.2A
ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ)
600V
立ち上がり/立ち下がり時間 (標準値)
40ns, 20ns
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